一直以来，重庆由于薄膜材料中氧的迁移势垒较高，重庆使得对界面氧行为的有效控制十分困难，因而调控其界面PMA一直是自旋电子学领域长期存在的关键性难题，目前一般只能在超薄(约1nm)的铁磁金属/氧化物异质结构中实现良好的PMA，导致器件具有较低的热稳定性和信噪比。

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